从2016年下半年开始，固态硬盘、内存条、以及闪存卡等存储产品的价格就缓步增长。存储芯片价格之所以持续攀升，除了国外大厂因为技术升级出现意外导致产能吃紧之外，中国存储芯片基本依赖进口也是存储芯片大幅涨价的原因。但随着资金、政策、人员等各种条件的成熟，行业发展将迎来拐点。
目前，我国存储芯片产业发展迎来三大利好。一方面，存量市场加速转移，增量市场就在大陆。对于移动终端存量市场，大陆是全球最大的生产基地和消费市场，相配套的存储芯片从美日台韩向大陆转移加速进行;其次，云存储和物联网是最大增量市场，大视频时代流量爆发，而大陆是全球最大的数据生产国和消费国，云存储芯片需求量快速爆发;此外，大陆拥有全球最优秀的互联网公司、终端品牌和电子产业链,有望引领物联网应用端创新。
另一方面，垄断竞争，三星做大，合作伙伴或可期。DRAM和NANDFlash两种最主要存储芯片CR4分别高达96%和82%，三星一家独占46%和33%，在市场、技术和资本上逐渐获得领先优势，其竞争对手如美光、海力士、闪迪等拓展新兴市场意愿强烈，大陆存储芯片产业可用市场和资金换技术，通过引进消化再创新掌握自己的核心技术。
与此同时，国内存储芯片产业发展还受到国家战略、资本市场双重支持。紫光和武汉新芯作为存储芯片领域两只重量级国家队，2016年以来在国家和地方政府的支持下分别宣布将投资300亿美元和240亿美元，项目落地后有望开启大陆存储芯片行业的黄金发展期。
近期，长江存储和中科院微电子研究所联合承担的3DNANDFlash存储器研发项目取得新进展，向产业化道路迈出关键一步。业内人士表示，国内厂商积极开展存储芯片相关研发和产业化工作，并取得了阶段性进展。政策支持之下，随着技术等逐渐成熟，行业发展将迎来拐点。
3月24日，从中国半导体协会主办、赛迪顾问承办的“2017中国半导体市场年会暨第六届中国集成电路产业创新大会”获悉，2017年有望成为国产存储器大规模主流化发展元年。此外，3DNANDFlash、DRAM是智能手机存储芯片，中国企业一直缺席这两个主要市场。从2017中国半导体市场年会获悉，这一状况有望改变。
据悉，目前国内存储器芯片主要参与者有三个，分别是湖北武汉的长江存储、福建泉州的晋华存储以及紫光集团。其中，长江存储初期定位Flash产品，后期将扩展DRAM产品，晋华存储项目定位DRAM产品。紫光集团除直接入股长江存储外，还将在不同地点布局Flash、DRAM产品。
赛迪顾问人士透露，在两年的准备期之后，2017年上述项目将进入实质性项目建设阶段。长江存储目前是进展最快的一方，其本身在Flash领域已经有较丰富的经验，有望率先量产。晋华项目已经开工建设，项目运营由经验丰富的台湾台积电负责，技术则委托联电进行开发。紫光集团目前在南京开工新建Flash产线。
