三星电子和SK海力士准备结盟，一起为下一代内存芯片制定标准，因为英特尔与美光已经联合在一起，对两家企业构成了威胁。
很久以来，全球内存芯片市场就被三星和SK海力士主导，因为它们交货准时、产能有保障、价格更便宜。另外，和逻辑芯片相比，制造内存芯片更加容易。
英特尔是全球最大的半导体生产商，它掌握了制程和CPU标准。现在英特尔准备在高端内存芯片市场提升地位。很显然，英特尔的新战略将会威胁三星和SK海力士。例如，英特尔与美光合作推广3D XPoint，它是一种变种芯片，新芯片将DARM和NAND闪存芯片的优势结合在一起，可以扩大芯片的数据存储容量，提高能耗效率。
三星表示，公司“密切关注”英特尔在3D XPoint方面的动作。一位三星内部人士称：“3D XPoint可能会成为真正的威胁，但到目前为止，我们考虑用不同的产品在内存芯片市场上与英特尔对抗。如果有必要，三星会与SK海力士结盟。但到目前为止还没有任何具体的讨论。”三星内部人士还说，开发更薄的DARM技术已经越来越困难，三星电子在下一代内存芯片的研发上扩大了开支，比如MPAM和PRAM。
SK海力士是世界第二大内存芯片制造商，它希望能与三星结盟，合作制定新的国际标准，与英特尔美光联盟对抗。SK海力士DARM技术主管Kim Jin-kook在产业论坛上表示，他们很担心3D XPoint所带来的影响，因为该技术拥有一些优势，可以吸引系统和企业存储应用方面的客户。
谈到SK海力士自己的DMS(Managed DRAM Solution)技术时，Kim Jin-kook表示，SK计划向JEDEC(一个国际委员会，有权批准新标准)提交方案，推动MDS成为下一代内存芯片的候选，与3D XPoint抗衡。最快从2018年开始，SK海力士就会将MDS技术用在商用芯片上。
产业人士认为，SK海力士的计划如果要变成现实，必须获得三星的支持，但是三星不太可能追随SK的步伐，因为MDS技术并不是三星发起的。
Kim Jin-kook表示，MDS技术拥有非易失性(当电流关掉后,所存储的数据不会消失)增强型数据存储能力，它的成本效益更高。
通过3D XPoint技术，英特尔打算推动非易失性双排直插内存模组(NVDIMM)的发展。NVDIMM服务器内存将DARM和NAND整合在一个内存模组上，它同时具备DRAM的性能和NAND的持久性。
一旦出现功率耗损，NVDIMM会将所有的DRAM数据存储到NAND中，用后备电源存储。NVDIMM中的DRAM可以确保关键数据在低延迟内存空间中运行，不会丢失。供电中断时，模组中的NAND能够防止DARM内容丢失，从而保证DRAM的持久稳定。当系统供电恢复，NAND中的数据也会恢复到DRAM中。
