NAND闪存芯片被三星、东芝、SK Hynix、美光、Intel等少数公司垄断，中国公司在此领域毫无话语权，甚至连收购、合作外资公司都没可能，想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工，2019年全速量产，预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。
长江存储科技前身是武汉新芯公司，该公司去年联合湖北省政府投资基金在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，随后该公司被紫光公司收购，变成了长江存储科技(英文简称为TMTC)，武汉投资项目一期工程就是生产3D NAND闪存。
国产3D NAND闪存的起点还不算低，目前研究的是32层堆栈的3D NAND闪存，前不久长江存储CEO杨士宁宣称国产3D闪存各项指标已经达到了预期要求。该款存储器芯片由长江存储与(中科院)微电子所三维存储器研发中心联合开发，在微电子所三维存储器研发中心主任、长江存储NAND技术研发部项目资深技术总监霍宗亮的带领下，成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证，向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。
3D NAND完成实验室研发只是一小步，后续的大规模量产才是关键。Digitimes报道称长江存储科技CEO杨士宁表示3D闪存工厂的生产装备将在2018年Q1季度完成安装，2019年则会完全量产。该公司的目标是在2020年时技术上达到国际领先的存储芯片供应商的水平。
杨士宁表示了NAND闪存市场需求正在被云计算、智能终端所推动，同时中国市场也具有极大的发展潜力。
不论是DRAM内存还是NAND闪存市场，目前都被极少数厂商所统治，杨士宁表示长江存储科技希望打破少数公司对市场的垄断，该公司进入市场将为业界带来良性竞争。
中国市场消耗了全球55%的存储芯片产能，杨士宁称在强大的市场需求及中国政府的财政支持下，长江存储科技公司将增强对现有几家存储芯片公司的竞争力。
要想获得长久的成功，拥有自己的核心是技术也是非常关键的，长江存储科技公司目前就在这么做。杨士宁称收购或者战略投资也是该公司实现增长的另一个选择。
